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ダイヤモンドスクライバー(InPウェハカット)

高集積化したInPウェハの高精度スクライブ、成功の理由

InP半導体は高機能・高性能である一方、未だ高コストであるという課題もありました。そこで半導体製造会社はInPウェハ1枚当たりのチップ集積率を高くし、コスト削減を図りました。ウェハのストリート幅(切断幅)は50μm以下となり、ウェハのチップサイズは小さいもので170μm×170μm。ストリート幅は狭ければ狭いほどウェハを無駄なく使えるため、狭いストリート幅のウェハを高精度にチップ化することが求めら... Continue Reading →