通信において、「高速大容量」「低遅延」「超大量接続」が可能な5Gの適用が始まり、すでに5年から10年先を見据えた5Gのさらなる高度化(Beyond 5G)と6Gに向けての技術開発が始まっています。高効率、広帯域幅、高出力の周波数の無線通信分野において半導体材料の主流となりつつある材料が窒化ガリウム＝“GaN”です。GaNは同じく半導体材料として注目されているSiC(シリコンカーバイド)に比べて安定した結合構造を持ち、絶縁破壊強度が高い材料です。またバンドギャップが広く、高電圧での使用が可能であるため、電子デバイスのさらなる低電力化や高効率化が期待されています。
”高耐圧単層セラミックコンデンサ”の製造に挑戦
市場では、高電圧に耐えられる単層セラミックコンデンサの需要あり！
GaN半導体において単層セラミックコンデンサは、インピーダンスマッチングにも用いられ、ドレイン側では高電圧下で使用されるため、高電圧に耐えられる単層セラミックコンデンサが必要不可欠です。バイアス電圧に加えて、増幅された高周波電圧が重畳されるため、単層セラミックコンデンサは定格電圧に余裕のある高耐圧が求められています。
定格電圧200Vの単層セラミックコンデンサを製造してみました
市場ニーズに対し、テクダイヤは下記スペックの高耐圧単層セラミックコンデンサを試作製造しました。
テクダイヤの高耐圧単層セラミックコンデンサには5つの特長があります。
1．絶縁破壊電圧500V以上を実現し、高電圧用途に最適
2．高い信頼性
3．長方形へのカスタマイズで、横長構造の実装にも対応(L：W＝最大8：1)
4．サイズと容量値のカスタマイズで最適なソリューションを提供
5．導電エポキシアタッチで熱に弱い周辺部品を保護
テクダイヤの高耐圧単層セラミックコンデンサには5つの特長があります。
1．絶縁破壊電圧500V以上を実現し、高電圧用途に最適
2．高い信頼性
3．長方形へのカスタマイズで、横長構造の実装にも対応(L：W＝最大8：1)
4．サイズと容量値のカスタマイズで最適なソリューションを提供
5．導電エポキシアタッチで熱に弱い周辺部品を保護
ポイントは”誘電体基板の製造から、製品の量産まで一貫したものづくり"
テクダイヤでは、高耐圧用途に適した非常に高い絶縁体性を実現する40から50,000の誘電体基板を自社で混練から焼成まで行い製造しています。誘電体基板の製造から製品の量産まで一貫して行うため、お客様のニーズに合わせてサイズや容量値のカスタマイズにも対応可能です。
半導体の効率化を実現しました！
高耐圧単層セラミックコンデンサを用いてインピーダンスを最適化することで効率化を実現し、MOSコンデンサと比べて電力付加効率(PAE)が向上したというお声をいただいています。
高耐圧単層セラミックコンデンサの応用例としては、防衛用無線機向けの増幅用半導体のバイアス回路やインピーダンスマッチングです。現在、高耐圧単層セラミックコンデンサは通常製品としてラインナップしていませんが、お客様と仕様確認をさせていただいたうえ、フルカスタマイズでご案内をしております。ぜひ、お問い合わせください。
高耐圧単層セラミックコンデンサの応用例としては、防衛用無線機向けの増幅用半導体のバイアス回路やインピーダンスマッチングです。現在、高耐圧単層セラミックコンデンサは通常製品としてラインナップしていませんが、お客様と仕様確認をさせていただいたうえ、フルカスタマイズでご案内をしております。ぜひ、お問い合わせください。